型號: | SMBJP6KE11A |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 560K |
代理商: | SMBJP6KE11A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJP6KE13CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBGP6KE110CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE150 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE47 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJP6KE24CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJP6KE11A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 15.6V 600W 39.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE11CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 15.6V 600W 39.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE120CA-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 102V 600W 2-Pin SMB T/R |
SMBJP6KE12A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 16.7V 600W 36.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE12CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 16.7V 600W 36.5A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |