型號: | SMBJP6KE51 |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 560K |
代理商: | SMBJP6KE51 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJP6KE62CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBGP6KE11CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE18CTR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE20CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBGP6KE24 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJP6KE510A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 698V 600W 0.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE510CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 698V 600W 0.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE51A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 70.1V 600W 8.7A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE51CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 70.1V 600W 8.7A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJP6KE550CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 760V 600W 0.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |