參數資料
型號： SMBJP6KE51TR
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數： 2/4頁
文件大小： 215K
代理商： SMBJP6KE51TR
600 Watt TRANSIENT VOLTAGE
SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJP6KE6.8 thru SMBJP6KE200CA, e3 and
SMBGP6KE6.8 thru SMBGP6KE200CA, e3
SMBJ(G)P6
K
E6.8-200
Ae
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
BREAKDOWN VOLTAGE
V(BR)
Min.
Nom.
Max.
TEST
CURRENT
I(BR)
RATED
STANDOFF
VOLTAGE
VWM
MAX
STANDBY
CURRENT
ID @ VWM
MAX
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ IPP
PEAK PULSE
CURRENT
IPP
TEMPERATURE
COEFFICIANT
of
V(BR)
αV(BR)
MICROSEMI
PART
NUMBER
(add SMBJ or
SMBG prefix)
VDC
mA
V
μA
V
A
% /
oC
P6KE6.8
P6KE6.8A
P6KE7.5
P6KE7.5A
6.12
6.45
6.75
7.13
6.8
7.5
7.48
7.14
8.25
7.88
10
5.5
5.8
6.05
6.4
1000
500
10.8
10.5
11.7
11.3
56
57
51
53
.057
.061
P6KE8.2
P6KE8.2A
P6KE9.1
P6KE9.1A
7.38
7.79
8.19
8.65
8.2
9.1
9.02
8.61
10
9.55
10
1
6.63
7.02
7.37
7.78
200
50
12.5
12.1
13.8
13.4
48
50
44
45
.065
.068
P6KE10
P6KE10A
P6KE11
P6KE11A
9.0
9.5
9.9
10.5
10
11
10.5
12.1
11.6
1
8.1
8.55
8.92
9.4
10
5
15
14.5
16.2
15.6
40
41
37
38
.073
.075
P6KE12
P6KE12A
P6KE13
P6KE13A
10.8
11.4
11.7
12.4
12
13
13.2
12.6
14.3
13.7
1
9.72
10.2
10.5
11.1
5
17.3
16.7
19
18.2
35
36
32
33
.078
.081
P6KE15
P6KE15A
P6KE16
P6KE16A
13.5
14.3
14.4
15.2
15
16
16.5
15.8
17.6
16.8
1
12.1
12.8
12.9
13.6
1
22
21.2
23.5
22.5
27
28
26
27
.084
.086
P6KE18
P6KE18A
P6KE20
P6KE20A
16.2
17.1
18
19
18
20
19.8
18.9
22
21
1
14.5
15.3
16.2
17.1
1
26.5
25.2
29.1
27.7
23
24
21
22
.088
.090
P6KE22
P6KE22A
P6KE24
P6KE24A
19.8
20.9
21.6
22.8
22
24
24.2
23.1
26.4
25.2
1
17.8
18.8
19.4
20.5
1
31.9
30.6
34.7
33.2
19
20
17
18
.092
.094
P6KE27
P6KE27A
P6KE30
P6KE30A
24.3
25.7
27
28.5
27
30
29.7
28.4
33
31.5
1
21.8
23.1
24.3
25.6
1
39.1
37.5
43.5
41.4
15
16
14
14.4
.096
.097
P6KE33
P6KE33A
P6KE36
P6KE36A
29.7
31.4
32.4
34.2
33
36
36.3
34.7
39.6
37.8
1
26.8
28.2
29.1
30.8
1
47.7
45.7
52
49.9
12.6
13.2
11.6
12
.098
.099
P6KE39
P6KE39A
P6KE43
P6KE43A
35.1
37.1
38.7
40.9
39
43
42.9
41
47.3
45.2
1
31.6
33.3
34.8
36.8
1
56.4
53.9
61.9
59.3
10.6
11.2
9.6
10.1
.100
.101
P6KE47
P6KE47A
P6KE51
P6KE51A
42.3
44.7
45.9
48.5
47
51
51.7
49.4
56.1
53.6
1
38.1
40.2
41.3
43.6
1
67.8
64.8
73.5
70.1
8.8
9.3
8.2
8.6
.101
.102
P6KE56
P6KE56A
P6KE62
P6KE62A
50.4
53.2
55.8
58.9
56
62
61.6
58.8
68.2
65.1
1
45.4
47.8
50.2
53
1
80.5
77
89
85
7.4
7.8
6.8
7.1
.103
.104
P6KE68
P6KE68A
P6KE75
P6KE75A
61.2
64.6
67.5
71.3
68
75
74.8
71.4
82.5
78.8
1
55.1
58.1
60.7
64.1
1
98
92
108
103
6.1
6.5
5.5
5.8
.104
.105
P6KE82
P6KE82A
P6KE91
P6KE91A
73.8
77.9
81.9
86.5
82
91
90.2
86.1
100
95.5
1
66.4
70.1
73.7
77.8
1
118
113
131
125
5.1
5.3
4.5
4.8
.105
.106
Microsemi
Scottsdale Division
Page 2
Copyright
2007
6-21-2007 Rev C
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關PDF資料
PDF描述
SMBJP6KE91AE3TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBGP6KE11ATR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE11CAE3TR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE120ATR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBGP6KE130TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關代理商/技術參數
參數描述
SMBJP6KE550CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 760V 600W 0.8A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE56A-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 77V 600W 7.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE56CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 77V 600W 7.9A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE6.8A-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJP6KE6.8CA-TP 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 10.5V 600W 58.1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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