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供應(yīng)IGBT模塊FD600R12KF4/FD200R12KE3

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代理銷售1200V 斬波IGBT模塊FD600R12KF4/FD200R12KE3
型號:FD200R12KE3
廠家:英飛凌(優(yōu)派克)
封裝:62mm 
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備的運(yùn)行安全和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。

  IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此FD600R12KF4具有:驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電子領(lǐng)域。FD200R12KE3就是新型斬波IGBT模塊的一種。
  其實(shí)就全控性能而言,IGBT是最適合斬波應(yīng)用的器件,而且技術(shù)極為簡單,幾乎IGBT器件本身就構(gòu)成了斬波電路。但是要把IGBT斬波形成產(chǎn)品,問題就沒有那么簡單,特別是大功率斬波,如果不面對現(xiàn)實(shí),認(rèn)真研究、發(fā)現(xiàn)和解決存在的問題,必將事與愿違,斬波設(shè)備的可靠性將遭受嚴(yán)重的破壞。FD600R12KF4不知道是出于技術(shù)認(rèn)識問題還是商務(wù)目的,近來發(fā)現(xiàn),某些企業(yè)對IGBT晶體管倍加推崇,而對晶閘管全面否定,顯然,這是不科學(xué)的。為了尊重科學(xué)和澄清事實(shí),本文就晶閘管和以IGBT為代表的晶體管的性能、特點(diǎn)加以分析和對比,希望能夠并引起討論,還科學(xué)以本來面目。


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