英飛凌IGBT模塊BSM200GB60DLC價格優(yōu)惠
型號:BSM200GB60DLC
廠家:英飛凌(原EUPEC)
工藝封裝:IGBT2 Low Loss 34mm
特性:二單元IGBT模塊
飽和壓降:1.95 V
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BSM200GB60DLC二單元IGBT模塊屬于英飛凌(原EUPEC)低通壓降IGBT模塊有著廣闊的應用范圍如：變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關電源。在常見的采用半橋IGBT模塊并用并行直流母線連接的ＵＰＳ設計，為了保護IGBT，使其工作在安全工作區(qū)RBSOA內，一般需要采用復雜的吸峰電路。成本高，且要消耗不少能量，有一典型的用于10kVA UPS逆變回路吸峰電路，需要80×80風扇冷卻，這是UPS逆變電路亟待改進的地方。
產生ΔV原因可以從下式可以看出：ΔV=-Lσ×di/dt，其與IGBT電流下降速率和回路的電感成正比。要減小尖峰電壓，可以減小電流下速率，就是通常說的關斷比較軟，但是會增加損耗；另一方法是減小電感，這個電感就是寄生電感。
從原理上說寄生電感與回路包圍的面積有關，在設計中BSM200GB60DLC，應該選用適當的低電感器件，而且器件布局盡量緊湊。那么如何在UPS設計中減小寄生電感，廢除耗能的吸峰電路，降低成本，這是UPS設計者關心的問題。
目前UPS逆變器的功率管采用的是IGBT半橋功率模塊，如eupec的BSM200GB60DLC。這些IGBT都采用了雙極型三極管模塊的封裝。