供應(yīng)EUPEC/英飛凌FZ2400R17KF6C-B2 IGBT模塊
型號:FZ2400R17KF6C-B2
廠家:EUPEC/英飛凌
電漢:2400A
封裝:IHM190
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保護(hù)IGBT的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力，而由于IGBT模塊中dIC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流小。
柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動器輸出級是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅(qū)動。當(dāng)信號為高電平時，N通道 MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號為低電平時，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生一個兩晶體管推挽輸出配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。根據(jù)輸出級有一路還是兩路輸出，可實(shí)現(xiàn)具有一個或兩個柵極電阻（導(dǎo)通，關(guān)斷）的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。
圖3 RG(on)/RG(off)的連接
柵極電阻的計(jì)算
對于低開關(guān)損耗，無FZ2400R17KF6C-B2模塊振蕩，低二極管反向恢復(fù)峰值電流和最大dv/dt限制，柵極電阻必須體現(xiàn)出最佳的開關(guān)特性。通常在應(yīng)用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動；同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說，IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給的電阻值必須為每個設(shè)計(jì)而優(yōu)化。IGBT數(shù)據(jù)手冊中指定了柵極電阻值。然而，最優(yōu)的柵極電阻值一般介于IGBT數(shù)據(jù)表中所列的值和其兩倍之間。IGBT數(shù)據(jù)表中所指定的值是最小值；在指定條件下，兩倍于額定電流可被安全地關(guān)斷。在實(shí)際中，由于測試電路和各個應(yīng)用參數(shù)的差異，IGBT數(shù)據(jù)表中的柵極電阻值往往不一定是最佳值。上面提到的大概的電阻值（即兩倍的數(shù)據(jù)表值），F(xiàn)Z2400R17KF6C-B2可被作為優(yōu)化的起點(diǎn)，以相應(yīng)地減少柵級電阻值。確定最終最優(yōu)值的唯一途徑是測試和衡量最終系統(tǒng)。使應(yīng)用中的寄生電感最小很重要。這對于保持IGBT的關(guān)斷過電壓在數(shù)據(jù)表的指定范圍內(nèi)是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導(dǎo)通和關(guān)斷時間以及開關(guān)損耗。柵級峰值電流的最大值和柵級電阻的最小值分別由驅(qū)動器輸出級的性能決定。