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型號:FGA20N120FTD(FGA20N120FTDTU)
廠家:FAIRCHILD(仙童 飛兆)
封裝:TO-247 
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    仙童為了彌補在20A IGBT產(chǎn)品上的缺失和前期FGA25N120ANDTU溫升偏高.新推廣FGA20N120FTD,此型號可在不改板的情況下直接PIN TO PIN 替換英飛凌的20A的IGBT,性價比高可替換SKW25N120,F(xiàn)GA20N120FTD采用先進(jìn)的場站溝槽技術(shù),飛兆半導(dǎo)體的1200V的IGBT ,具有卓越的傳導(dǎo)和關(guān)性能 ,和易于并行運作的特殊雪崩耐用。這個裝置是專為軟開關(guān)應(yīng)用籌措。

 Claudia Innes女士向記者介紹了飛兆半導(dǎo)體新推出的Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD。 她說:“這些新器件可為電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)設(shè)計人員提供高效的解決方案。這些IGBT同時采用Field Stop(場截止)結(jié)構(gòu)和抗雪崩的Trench Gate(溝道柵)技術(shù),可在傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間提供最佳權(quán)衡,從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的NPT-Trench IGBT器件相比,F(xiàn)GA20N120FTD可減小25%的導(dǎo)通損耗、8%的開關(guān)損耗,并可大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低,系統(tǒng)可靠性得以增強,系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內(nèi)置了專為零電壓開關(guān)(ZVS)技術(shù)而優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管(FRD),進(jìn)一步提高了可靠性。” Claudia Innes女士還強調(diào)說:“飛兆半導(dǎo)體的FGA20N120FTD和FGA15N120FTD一致的參數(shù)分布和已經(jīng)增強的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效率。這正是利用飛兆半導(dǎo)體創(chuàng)新的Field Stop結(jié)構(gòu)和專有的先進(jìn)Trench Gate單元設(shè)計的成果?!?/SPAN>


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