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IGBT智能模塊

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80年代，絕緣柵雙極晶體管IGBT器件研發(fā)成功。由于IGBT器件具有電壓型驅(qū)動、驅(qū)動功率小、開關速度高、飽和壓降低以及可耐高電壓、大電流等以及自診斷電路等封裝在同一絕緣外殼內(nèi)，具有智能化的IGBT模塊(IPM)。它為電力電子逆變器的高頻化、小型化、高可靠性和高性能創(chuàng)造了器件基礎


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