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供應(yīng)H55S5122DFR-60M-C
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H55S5122DFR-60M-C，供應(yīng)H55S5122DFR-60M-C

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2012年08月08日
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型號(hào)H55S5122DFR-60M-C廠家HY
封裝BGA  
產(chǎn)品詳細(xì)說明技術(shù)參數(shù)：制造廠商： HYNIX 產(chǎn)品類別：工作電壓： 工作溫度：存儲(chǔ)介質(zhì)類別： I/O接口位寬: 存儲(chǔ)密度： 損壞區(qū)塊： 芯片版本：芯片特征： 封裝類型：BGA 封裝材料：無鉛 mobile sdram 與一般的sdram比較更適合移動(dòng)、手持設(shè)備使用；電源電壓范圍：1.8V 封裝不同：小封裝 BGA 沒有一般SDRAM速度快，目前最大可達(dá)到100多兆；省電設(shè)計(jì)：TCSR:Temperature Compensated Self Refresh PASR：Partial Array Self Refresh DS：Driver Strength 初試化時(shí)需要設(shè)置MOBILE SD的MR和EMR兩個(gè)寄存器。 FLASH的模式設(shè)置為異步還是同步，要看CPU是否支持，系統(tǒng)是否需要用FLASH的同步模式；同步模式的設(shè)置是需要驅(qū)動(dòng)來做的。
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