| 品牌 | coilcraft | 型號 | MSS1038-823MLC |
| 材料 | 銅心電感線圈 | 電感線圈繞制方法 | 單層式線圈 |
| 用途 | 振蕩線圈 | | |
如果電源開通并在大負載情況下不能把C1充起來，就有可能導致過熱現(xiàn)像的發(fā)生，并隨之造成器件受損。在柵極和輸出斜坡上升時，MOSFET兩端的壓降為輸入電源電壓減去輸出電壓。如果電源電壓低于C1充電所需的數(shù)值，則輸出將無法斜坡上升超越(電源電壓–MOSFET門限)。這種3V至5V的MOSFET壓降以及高負載電流將導致沒有任何保護或超時限值的功率耗散。
過壓故障
LTC4366可避免輸入電源上的過壓到達負載。一般地，傳輸晶體管完全導通，并以非常小的電壓降給負載供電。當輸入電壓增加時，OUT電壓增加，直至其達到調(diào)節(jié)點(VREG)為止。從該點起，任何進一步的電壓增加都將降落在MOSFET的兩端。請注意，由于MOSFET仍然處于導通狀態(tài)，因此LTC4366可在短時間過壓過程中實現(xiàn)不間斷的運作。
VREG調(diào)節(jié)點利用兩個FB電阻器(RFB1和RFB2)來配置。調(diào)節(jié)放大器負責將FB引腳電壓與(門限OUT引腳電壓–1.23V)進行比較。在調(diào)節(jié)期間RFB1兩端的壓降為1.23V，而剩余的VREG電壓則降落在RFB2的兩端。當輸出位于調(diào)節(jié)點時，起動一個定時器以避免MOSFET中產(chǎn)生過大的功率耗散。通常利用一個1.8A下拉電流將TIMER引腳保持于低電平。在調(diào)節(jié)期間，TIMER引腳以9A的電流進行充電。如果調(diào)節(jié)點的保持時間之長足以使TIMER引腳電壓達到2.8V，則產(chǎn)生一個過壓故障鎖定。用于設定定時器電容器的公式為：
CT=3.5?t[nF/ms]
視版本的不同，該器件將冷卻并自動起動(LTC4366-2)，或者保持鎖斷狀態(tài)直到SD引腳啟動一個重起為止(LTC4366-1)。冷卻時間通常為9秒，這提供了一個非常低的脈沖電源占空比。
| OV7960-C48P |
| OV7960-E62W |
| OV7962-E62A |
| OV7962-E62Y |
| OV8610 |
| OV8810-A67A |
| OV9121 |
| OV9630 |
| OV9653-V28A |
| OV9655-V28A |
| OV9660 |
| OV9665 |
| OV9710-HDDV |
| OV9712-V28A |
| OV9715-V28A |
| OV9715-F48Y |
| OV9726-A40A |
| OV9740-A46A |
| OV9810-A70A |
| OV14825-A16A |
| OV4680 |
| OVP2200 |
| SOI268 / 2681
BW |
| SOI268 / 2681
IR |
| SOI763A |
| SQ608-L |
| SQ908-L |
在輸入電源過壓和滿負載電流條件下啟動確實會使MOSFET的功率耗散遠遠超過一般過壓浪涌時的水平。在柵極和輸出電壓斜坡上升期間，部分電源電壓(在滿電流時)降落在MOSFET的兩端。在啟動之后，正常的過壓浪涌發(fā)生在MOSFET關(guān)斷之前。對于MOSFET的安全工作區(qū)(SOA)計算，“設計實例”部分僅考慮了正常的過壓浪涌。在過壓情況下啟動將需要對SOA做更多的考慮。
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