產(chǎn)品型號：K4T1G164QF-BCE7  原裝正品，優(yōu)勢供應(yīng)！    

品牌：SAMSUNG

產(chǎn)品類別： DDR2   

工作電壓： 工作溫度：：-40~85（℃）

存儲介質(zhì)類別： I/O接口位寬: x 8bit

封裝類型：89 FBGA   規(guī)格尺寸：7.5*9.5*1.1（mm）

封裝材料： 無鉛    

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1280/PACK   (托盤)

K4T1G164QF-BCE7技術(shù)特征： K4T1G164QF-BCE7是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，K4T1G164QF-BCE7與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，?/span>K4T1G164QF-BCE7內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?。

換句話說，K4T1G164QF-BCE7內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。