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分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 FET - 模塊 APTM50HM75STG
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  • 發(fā)布日期: 2014年05月26日
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類型Microsemi品牌APTM50HM75STG
FET 類型4 個 N 通道(H 橋)
FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)500V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時)46A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值)90 毫歐 @ 23A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)123nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)5600pF @ 25V
功率 - 最大值357W
安裝類型底座安裝
封裝/外殼SP4
供應(yīng)商器件封裝SP4
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