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供應(yīng) ON Semiconductor MOSFET： NDD02N40-1G，鄧S15220172977
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，供應(yīng) ON Semiconductor MOSFET： NDD02N40-1G，鄧S15220172977

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2014年08月26日
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  • 郵件：sherrydeng@buyelec.net
  • 地址：深圳市龍華新區(qū)幸福商業(yè)大廈1001
品牌ON型號(hào)NDD02N40-1G
NDD02N40-1G 20 ON SemIConductor
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:符合RoHS 詳細(xì)信息
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 Ohms
配置:Single
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
Qg-柵極電荷:5.5 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:39 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:IPAK-3
封裝:Tube
商標(biāo):ON Semiconductor
下降時(shí)間:4 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:1.1 S
最小工作溫度:- 55 C
上升時(shí)間:7 ns
工廠包裝數(shù)量:75
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14 ns
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