型號 | CSD16403Q5A | 廠家 | TI |
批號 | 14+ | 封裝 | QFN8 |
CSD16403Q5A參數(shù)
產(chǎn)品種類: |
MOSFET |
晶體管極性: |
N-Channel |
汲極/源極擊穿電壓: |
25 V |
閘/源擊穿電壓: |
- 12 V, + 16 V |
漏極連續(xù)電流: |
100 A |
導(dǎo)通電阻: |
2.2 mOhms |
配置: |
Single Quad Drain Triple Source |
最大工作溫度: |
+ 150 C |
安裝風(fēng)格: |
SMD/SMT |
封裝 / 箱體: |
QFN-8 |
封裝: |
Reel |
商標(biāo): |
Texas Instruments |
下降時間: |
9.2 ns |
正向跨導(dǎo) - 最小值: |
91 S |
柵極電荷 Qg: |
13.3 nC |
最小工作溫度: |
- 55 C |
功率耗散: |
3.1 W |
上升時間: |
18.3 ns |
系列: |
CSD16403Q5A |
工廠包裝數(shù)量: |
2500 |
商標(biāo)名: |
NexFET |
典型關(guān)閉延遲時間: |
15.2 ns |
深圳友開發(fā)電子科技有限公司
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