以下是，SI4435DDY-T1-GE3 vishay-MOSFET 30V 11.4A 5.0W，型號(hào):SI4435DDY-T1-GE3 廠家:vishay 批號(hào):15+ 封裝:SOIC-8 ，請(qǐng)點(diǎn)擊“詢(xún)價(jià)”
-SI4435DDY-T1-GE3 vishay-MOSFET 30V 11.4A 5.0W 型號(hào):SI4435DDY-T1-GE3 廠家:vishay 批號(hào):15+ 封裝:SOIC-8-買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)
SI4435DDY-T1-GE3 vishay-MOSFET 30V 11.4A 5.0W
查看大圖

，SI4435DDY-T1-GE3 vishay-MOSFET 30V 11.4A 5.0W

  • 當(dāng) 前 價(jià)： -
  • 最小起訂： -pcs
  • 供貨總量： -pcs
  • 點(diǎn)此詢(xún)價(jià)
  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 省份 地市級(jí) 市、縣級(jí)市、縣
  • 發(fā)布日期： 2015年03月19日
深圳市博光電子有限公司進(jìn)入企業(yè)網(wǎng)站查看聯(lián)系方式
  • 聯(lián)系人：余先生 (先生) QQ 1149397864QQ 530729603QQ 1732202754MSN:xboy99221
  • 電話(huà)：18588239772
  • 傳真：0755-29125885
  • 郵件：sales@bg-dz.com
  • 地址：南山區(qū)沿山路5號(hào)火炬創(chuàng)業(yè)大廈1樓，柜臺(tái)：新華強(qiáng)Q1A565
型號(hào)SI4435DDY-T1-GE3廠家vishay
批號(hào)15+封裝SOIC-8
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: RoHS 合規(guī)性豁免 詳細(xì)信息
商標(biāo): Vishay Semiconductors
Id-連續(xù)漏極電流: 8.1 A
Vds-漏源極擊穿電壓: - 30 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 24 mOhms
晶體管極性: P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 20 V
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8 Narrow
封裝: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 12 ns, 16 ns
最小工作溫度: - 55 C
上升時(shí)間: 8 ns, 35 ns
系列:
工廠包裝數(shù)量: 2500
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns, 40 ns
零件號(hào)別名: SI4435DDY-GE3
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是，SI4435DDY-T1-GE3 vishay-MOSFET 30V 11.4A 5.0W，型號(hào):SI4435DDY-T1-GE3 廠家:vishay 批號(hào):15+ 封裝:SOIC-8的信息
由北京輝創(chuàng)互動(dòng)信息技術(shù)有限公司獨(dú)家運(yùn)營(yíng)
粵ICP備14064281號(hào) 客服群：4031849 交流群：4031839 商務(wù)合作：QQ 775851086