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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N20. 場效應(yīng)管, MOSFET, N, SOT-227B
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  • 發(fā)布日期： 2015年04月12日
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品牌IXYS型號IXFN180N20

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN180N20.  場效應(yīng)管, MOSFET, N, SOT-227B

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  • 電流, Id 連續(xù): 180A
  • 漏源電壓, Vds: 200V
  • MSL: -
  • 針腳數(shù): 3
  • 在電阻RDS（上）: 0.01ohm
  • 工作溫度最高值: 150°C
  • 功耗 Pd: 700W
  • 電壓 @ Rds測量: 10V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)): No SVHC (17-Dec-2014)
  • 閾值電壓 Vgs: 4V
  • 晶體管封裝類型: ISOTOP
  • 晶體管極性: N溝道

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