FQA24N50 介紹如下：

這些N溝道增強型功率場效應 晶體管采用飛兆半導體專有的， 平面條形， DMOS技術。這種先 進的技術已特別針對最大限度地 減少通態(tài)電阻，優(yōu)越的開關性能， 并能承受高能量脈沖雪崩和減刑模式。 這些裝置是公適用于高效率開關模式電源， 其中，體二極管被用于諸如移相ZVS，基本 的全橋拓撲結構。

特點：

低柵極電荷（典型的90 NC） 低的Crss （典型值55 pF的） 快速開關 100％的雪崩測試 改進的dv / dt能力 快速恢復體二極管（最大，為250ns）

參數(shù)圖如下：

產(chǎn)品圖如下：以下圖片為真實拍攝！原裝正品！