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Infineon IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A
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，Infineon IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2016年03月08日
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型號FF600R12ME4廠家Infineon
封裝Tray  
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:995 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
最大工作溫度:+ 150 C
封裝:Tray
商標:Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
最小工作溫度:- 40 C
安裝風格:Screw
Pd-功率耗散:4050 W
工廠包裝數(shù)量:10
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