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IR原裝進(jìn)口現(xiàn)貨MOS管IRF640NPBF IRF640
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,IR原裝進(jìn)口現(xiàn)貨MOS管IRF640NPBF IRF640

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  • 所 在 地: 江蘇 蘇州市 昆山市
  • 發(fā)布日期: 2016年09月23日
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品牌IR型號IRF640NPBF
封裝TO-220-3用途CC/恒流
類型絕緣柵型場效應(yīng)管溝道類型N溝道
導(dǎo)電方式增強(qiáng)型  

單 N 溝道 200 V 150 W 67 nC Hexfet 功率 Mosfet 通孔 - TO-220AB

制造商零件編號:IRF640NPBF
安裝方法: Flange Mount
封裝形式: TO-220-3 (TO-220AB)
包裝: TUBE
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量: 50

產(chǎn)品亮點(diǎn)
  • Channel Type:N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:200 V
  • Drain-Source On Resistance-Max:0.15 Ω
  • Qg Gate Charge:67 nC
  • Rated Power Dissipation:150 W

IRF640NPBF是第五代HEXFET? 功率MOSFET,采用高級工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了極低的單位硅片面積導(dǎo)通電阻。它的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)加上HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì),為設(shè)計(jì)人員提供了非常高效和可靠的器件,適用于各種應(yīng)用。

TO-220封裝是所有50瓦左右功耗水平的商業(yè)、工業(yè)應(yīng)用的普遍首選。TO-220封裝的低熱阻和低封裝成本幫助其獲得了整個(gè)行業(yè)的廣泛認(rèn)可。欲了解更多信息,請參閱數(shù)據(jù)手冊。

IRF640NPBF采用TO-220封裝。PBF表示無鉛。
 
總   機(jī):O512-5O71O709
傳   真:O512-5O1112O9
工廠專線:1595O933O5O
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