| 型號(hào) | IPI80N06S4-05 | 廠家 | INFINEO |
| 批號(hào) | 16+ | 封裝 | PG-TO26 |
| 數(shù)據(jù)列表 | |
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| 其它名稱 | IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
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規(guī)格
| FET 類型 | N 溝道 |
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| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
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| 漏源極電壓（Vdss） | 60V |
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| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 80A（Tc） |
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| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 60μA |
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| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 81nC @ 10V |
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| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） | 6500pF @ 25V |
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| FET 功能 | - |
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| 功率耗散（最大值） | 107W（Tc） |
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| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） | 5.7 毫歐 @ 80A，10V |
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| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
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| 安裝類型 | 通孔 |
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| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO262-3 |
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| 封裝/外殼 | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA |
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