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SSM6J503NU 東芝MOS 原裝進(jìn)口
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，SSM6J503NU 東芝MOS 原裝進(jìn)口

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  • 最小起訂： 3KPCS
  • 供貨總量： 21366PCS
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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2017年03月20日
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品牌TOSHIBA型號(hào)SSM6J503NU
封裝UDFN6B  

封裝類型

Package ImageUDFN6B
Toshiba Package Name
Pins6
MountingSurface Mount
Width×Length×Height
(mm)		2.0×2.0×0.75

Absolute Maximum Ratings

CharacteristicsSymbolRatingUnit
Drain currentID-6A
Power DissipationPD1W
Drain-Source voltageVDSS-20V
Gate-Source voltageVGSS+/-8V

產(chǎn)品特性

項(xiàng)目符號(hào)條件數(shù)值單位
Input capacitance (Typ.)Ciss-840pF
Total gate charge (Typ.)Qg-12.8nC
Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=4.5V0.0324Ω
Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=2.5V0.0417Ω
Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=1.8V0.0579Ω
Drain-Source on-resistance (Max)RDS(ON)|VGS|=1.5V0.0896Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=4.5V0.0277Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=2.5V0.0331Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=1.8V0.0406Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.)RDS(ON)|VGS|=1.5V0.0486Ω
Gate threshold voltage (Max)Vth--1.0V
Gate threshold voltage (Min)Vth--0.3V
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