| 型號(hào) | IRFH5302TRPBF | 廠家 | IR |
| 批號(hào) | 13+ | 封裝 | DFN56 |
型號(hào)：IRFH5302TRPBF
品牌：IR
批號(hào)：13+
IC描述：MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
FET類型：N溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25℃時(shí)）：32A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds On，最小Rds On）：4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）：76nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4400pF @ 15V Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），100W（Tc）
不同Id，Vgs時(shí)的 Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 50A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
全新原裝正品現(xiàn)貨
深圳市柏新電子科技有限公司
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