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-內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器 型號(hào):內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器 廠家:1 批號(hào):17 封裝:sop-買賣IC網(wǎng)
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以下是,內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器 ,型號(hào):內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器 廠家:1 批號(hào):17 封裝:sop
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內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器
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最小起訂: 11
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發(fā) 貨 期: 7 天內(nèi)發(fā)貨
所 在 地: 廣東 深圳市 羅湖區(qū)
發(fā)布日期: 2017年06月21日
深圳商運(yùn)達(dá)科技有限公司
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電話:0755-83376489/83376549/83376282/83600718
傳真:0755-833767182
郵件:szss20@163.com
地址:深圳福田區(qū)賽格電子市場(chǎng)2583
的詳細(xì)信息
型號(hào)
內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器
廠家
1
批號(hào)
17
封裝
sop
內(nèi)置前置放大電路型光電二極管
品牌篩選:
全部
First Sensor
Laser Components
Electro-OptICal Systems
OSI Optoelectronics
分類篩選:
全部
內(nèi)置前放電路型硅光電二極管
內(nèi)置前放電路型InGaAs光電二極管
內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器
硅(InGaAs)內(nèi)置前放電路型雪崩管
內(nèi)置前放電路型硅光電二極管
內(nèi)置前放電路型InGaAs光電二極管
內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器
硅(InGaAs)內(nèi)置前放電路型雪崩管
內(nèi)置前置放大電路型光電二極管
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內(nèi)置前放電路型硅光電二極管
品牌篩選:
全部
OSI Optoelectronics
型號(hào)
光敏面尺寸(mm)
光敏面積(mm
2
)
響應(yīng)度(A/W)
NEP(W/√Hz)
運(yùn)放供電電壓(v)
增益帶寬乘積(-)
開(kāi)環(huán)增益(V/MV)
封裝(-)
UDT-451
?2.54
5.1
0.65
1.4E-14@-10v,970nm
+15
4
150
DIP
UDT-455
?2.54
5.1
0.65
1.4E-14@-10v,970nm
+15
5.4
200
TO-5
UDT-455LN**
?2.54
5.1
0.65
1.4E-14@-10v,970nm
+15
1
2500
TO-5
OSI-515#
?2.54
5.1
0.65@970nm
1.4E-14@-10v,970nm
+15
26
6.3
TO-5
UDT555D
?11.3
100
0.65@970nm
3.9E-14@-10v,970nm
+15
5.7
220
special
UDT-020D
?4.57
15
0.65@970nm
1.9E-14@-10v,970nm
+15
5.4
200
TO-8
UDT-455UV
?2.54
5.1
0.14@254nm
9.2E-14@-10v,970nm
15
5.4
200
TO-5
UDT-455UV/LN**
?2.54
5.1
0.14@254nm
9.2E-14@-10v,970nm
+15
1
2500
TO-5
UDT-020UV
?4.57
16
0.14@254nm
1.3E-14@-10v,970nm
+15
5.4
200
TO-8
UDT-055UV
?7.98
50
0.14@254nm
2.1E-14@-10v,970nm
+15
5.7
220
special
UDT-555UV
?11.3
100
0.14@254nm
2.9E-14@-10v,970nm
+15
5.7
220
special
UDT-555UV/LN**
?11.3
100
0.14@254nm
2.9E-14@-10v,970nm
+15
5.7
220
specia
內(nèi)置前置放大電路型光電二極管
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內(nèi)置前放電路型InGaAs光電二極管
品牌篩選:
全部
OSI Optoelectronics
型號(hào)
光敏面尺寸(μm)
工作波長(zhǎng)(mm)
響應(yīng)度(V/W)
靈敏度(DBm)
低帶通截止頻率(KHz)
帶寬(MHz)
FCI-H125G-InGaAs-70
?70
800-1700
2500
-28
900
45
FCI-H250G-InGaAs-70
?70
800-1700
2500
-24
1750
30
FCI-H155M-InGaAs-70
?70
800-1700
48000
-38
110
-
FCI-H622M-InGaAs-70
?70
800-1700
16000
-32
250
-
內(nèi)置前置放大電路型光電二極管
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內(nèi)置前放電路型雙波長(zhǎng)探測(cè)器
品牌篩選:
全部
Electro-Optical Systems
型號(hào)
材料(-)
光敏面積(mm
2
)
工作波長(zhǎng)(mm)
響應(yīng)度(v/w@pk)
帶寬(-3db)(Hz)
輸出電壓噪聲(v/Hz
1/2
)
NEP(w/Hz
1/2
@pk)
S_G-025_020-H
Si Ge
2.5/2.0
0.3-1.0/1.0-1.8
0.6 e8/0.6e7
0.6 e7/0.6e6
DC-2K
1.2 e-6/1.2e-7
4.0 e-6/4.0e-7
2e-14; 7e-13
S_IGA-025_020-h
Si InGaAs
2.5/2.0
0.3-1.0/1.0-1.7
0.6 e8/0.6e7
0.6 e8/0.6e7
DC-2K
1.2 e-6/1.5e-7
1.2e-6/1.5e-7
<2e-14; <2e-14
S_IGA-050_030-H
Si InGaAs
5.0/3.0
0.3-1.0/1.0-1.7
0.6 e8/0.6e7
0.6 e8/0.6e7
DC-2K
1.2 e-6/4.0e-7
4.0 e-6/3.0e-7
<2e-14; <7e-14
S_IGA2.2-025_010-H
Si InGaAs
2.5/1
0.3-1.0/1.0-1.7
0.6 e8/0.6e7 0.6 e6/0.6e5
DC-2K
1.2 e-6/e-7
1.2 e-6/e-7
<2e-14; <2e-12
S_IA-025_020-H
Si InAs
2.5/2.0
0.3-1.0/1.0-3.5
0.6 e8/0.6e7 0.6 e4/0.8e3
DC-2K
1.2 e-6/1.2e-7
1.2e-6/1.6e-7
<2e-14; <2e-10
S_PBS-025_020-H
Si PbS
2.5/2*2
0.3-1.0/1.0-2.6
0.6 e8/0.6e7
5 e6/e5
DC-2K/5-500
1.2 e-6/1.2e-7 15e-6/e-7
<2e-14; <3e-12
S_PBSE-025_020-H
Si PbSe
2.5/2*2
0.3-1.0/1.0-4.5
0.6 e8/0.6e7
1 e5/1e4
DC-2K/5-10K
1.2 e-6/1.2e-7
10 e-6/e-7
<2e-14; <1e-10
內(nèi)置前置放大電路型光電二極管
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硅(InGaAs)內(nèi)置前放電路型雪崩管
品牌篩選:
全部
First Sensor
Laser Components
型號(hào)
帶寬(MHz)
響應(yīng)度(A/W)
輸出噪聲密度(nV/sqrt Hz)
輸入?yún)⒖荚肼暶芏?pA/sqrt Hz)
噪聲等效功率(W/√Hz)
SAR500H2
10 kHz – 100 MHz
1.5@540nm
2.5@650nm
3.0@905nm
0.5@1550nm
70
1.3
0.043@540nm
0.029@650nm
0.024@905nm
0.130@1550nm
AD230-9-400M-TO5
0.6
AD500-9-400M-TO5
400
0.6
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