規(guī)格| FET 類型 | N 溝道 |
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| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
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| 漏源極電壓（Vdss） | 100V |
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| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 100A（Tc） |
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| 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
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| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 150μA |
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| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 117nC @ 10V |
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| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） | 8410pF @ 50V |
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| Vgs（最大值） | ±20V |
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| FET 功能 | - |
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| 功率耗散（最大值） | 214W（Tc） |
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| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） | 4.2 毫歐 @ 50A，10V |
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| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
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| 安裝類型 | 表面貼裝 |
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| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-3 |
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| 封裝/外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
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