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IRF6714MTRPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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，IRF6714MTRPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2017年07月31日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品品牌IR
零件編號(hào) IRF6714MTRPBF-ND
  檢查提前期
制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào)
IRF6714MTRPBF
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 29A（Ta），166A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 44nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3890pF @ 13V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），89W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2.1 毫歐 @ 29A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DIRECTFET? MX
封裝/外殼 DirectFET? 等容 MX


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