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IRFBC20S IR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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,IRFBC20S IR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2017年08月31日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品品牌IR
Digi-Key 零件編號(hào) IRFBC20S-ND
制造商
Vishay SilIConix
制造商零件編號(hào)
IRFBC20S
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 管件 ?
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 2.2A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),50W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 4.4 歐姆 @ 1.3A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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