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Toshiba 2SJ619 P溝道 MOSFET 晶體管 SC-97封裝 鑫弘瑞電子
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2017年11月20日
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  • 地址:華強(qiáng)北街道華強(qiáng)電子世界2號(hào)樓4樓23C255
品牌Toshiba型號(hào)2SJ619
封裝SC-97類(lèi)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
溝道類(lèi)型P溝道  
深圳市鑫弘瑞電子有限公司是專(zhuān)業(yè)IC方案服務(wù)商,經(jīng)營(yíng)品種齊全,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源、通信、數(shù)碼、汽車(chē)、醫(yī)療、工、民用電子等設(shè)備。我們秉承互惠互利、共發(fā)展的原則,熱忱歡迎國(guó)內(nèi)外經(jīng)銷(xiāo)商、廠商前來(lái)洽談合作,共謀發(fā)展!聯(lián)系方式:0755-82764860、18927434041,QQ:183818172 / 3044067800 蔡經(jīng)理!




產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)


標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
類(lèi)別:分立式導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):16A (Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):210 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):48nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 10V
功率 - 最大值:75W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-97
供應(yīng)商器件封裝:TFP(9.2x10.7)


產(chǎn)品實(shí)拍圖:

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