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SISA14DN-T1-GE3 VISHAY 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
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,SISA14DN-T1-GE3 VISHAY 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 南山區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2017年11月27日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品品牌VISHAY
Digi-Key 零件編號(hào) SISA14DN-T1-GE3TR-ND

  檢查提前期
制造商
Vishay SilIConix
制造商零件編號(hào)
SISA14DN-T1-GE3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 20A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 1450pF @ 15V
Vgs(最大值) +20V,-16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.57W(Ta),26.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 5.1 毫歐 @ 10A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8
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