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原裝SUD06N10-225_SUD06N10-225價(jià)格/供應(yīng)商
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  • 當(dāng) 前 價(jià): 只元/PCS
  • 最小起訂: 1PCS
  • 供貨總量: 85926PCS
  • 點(diǎn)此詢價(jià)
  • 發(fā) 貨 期: 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2017年12月28日
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  • 聯(lián)系人:鄭小姐 (女士) QQ 2355705571MSN:15338868823
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  • 地址:公司地址:★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411
型號(hào)SUD06N10-225廠家VISHAY
批號(hào)最新年份封裝TO252
SUD06N10-225中文資料

標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn) Logic Level Gate

漏極至源極電壓(VDSS) 100V

電流-連續(xù)漏極(編號(hào))@ 25°C 6.5A

Rds(最大)@ ID,VGS 200 mOhm @ 3A, 10V

VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA

柵極電荷(Qg)@ VGS 4nC @ 5V

輸入電容(Ciss)@ Vds的 240pF @ 25V

功率 - 最大 1.5W

安裝類型 Surface Mount

包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應(yīng)商器件封裝 TO-252, (D-Pak)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3DPAK

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 100 V

最大連續(xù)漏極電流 6.5 A

RDS -于 200@10V mOhm

最大門(mén)源電壓 ±20 V

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 7 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間 8 ns

典型下降時(shí)間 9 ns

工作溫度 -55 to 175 °C

安裝 Surface Mount

標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel

最大門(mén)源電壓 ±20

歐盟RoHS指令 Compliant

最高工作溫度 175

標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 DPAK

最低工作溫度 -55

渠道類型 N

最大漏源電阻 200@10V

最大漏源電壓 100

每個(gè)芯片的元件數(shù) 1

供應(yīng)商封裝形式 DPAK

最大功率耗散 1500

最大連續(xù)漏極電流 6.5

引腳數(shù) 3

鉛形狀 Gull-wing

單位包 2000

最小起訂量 2000

FET特點(diǎn) Logic Level Gate

封裝 Tape & Reel (TR)

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C 6.5A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA

漏極至源極電壓(Vdss) 100V

供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-252, (D-Pak)

開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS 200 mOhm @ 3A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 1.5W

封裝/外殼 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

輸入電容(Ciss ) @ VDS 240pF @ 25V

閘電荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 5V

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SUD06N10-225L-E3CT

類別 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm

身高 2.38mm

長(zhǎng)度 6.73mm

最大漏源電阻 0.2 Ω

最高工作溫度 +175 °C

最大功率耗散 1.5 W

最低工作溫度 -55 °C

包裝類型 TO-252

典型柵極電荷@ VGS 2.7 nC V @ 5

典型輸入電容@ VDS 240 pF V @ 25

寬度 6.22mm

工廠包裝數(shù)量 2000

產(chǎn)品種類 MOSFET

晶體管極性 N-Channel

源極擊穿電壓 +/- 20 V

連續(xù)漏極電流 6.5 A

安裝風(fēng)格 SMD/SMT

RDS(ON) 200 mOhms

功率耗散 1.5 W

商品名 TrenchFET

漏源擊穿電壓 100 V

RoHS RoHS Compliant By Exemption

Continuous Drain Current Id :6.5A

Drain Source Voltage Vds :100V

On Resistance Rds(on) :0.16ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :10V

Threshold Voltage Vgs :1V

功耗 :20W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :175°C

Transistor Case Style :TO-252

No. of Pins :2

MSL :MSL 1 - Unlimited

Current Id Max :6.5A

工作溫度范圍 :-55°C to +175°C

Voltage Vgs Max :20V

Weight (kg) 0.00143

Tariff No. 85412900

associated D00840

573100D00010G

ADP3623ARDZ-RL

3209885-M

圖文
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