制造商
Infineon Technologies
制造商零件編號
IPG20N06S2L65AATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 汽車級，AEC-Q101，OptiMOS?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 14μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V 功率 - 最大值 43W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-10
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