制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件編號
APT18M80B
描述 MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 8??
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3760pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 530 毫歐 @ 9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247 [B]
封裝/外殼 TO-247-3
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