制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件編號
APT20N60SC3G
描述 MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 CoolMOS??
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 20.7A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 114nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2440pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 13.1A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D3Pak
封裝/外殼 TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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