制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件編號
APTC60HM35T3G
描述 MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 32 周
詳細(xì)描述 Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 4 個 N 通道（H 橋）
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 72A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 35 毫歐 @ 72A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 518nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 14000pF @ 25V 功率 - 最大值 416W
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 SP3
供應(yīng)商器件封裝 SP3
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