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品質(zhì)保證IRF530NSTRLPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品IRF530NSTRLPBF
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  • 發(fā)布日期: 2018年03月16日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
IRF530NSTRLPBF型號介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),70W(Tc) D2PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 17A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),70W(Tc)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 90 毫歐 @ 9A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philips)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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