SQM120N06-3M5L_GE3介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 120A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 14700pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 3.5 毫歐 @ 29A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-263
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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