型號(hào) | SI8660BC-B-IS1R | 廠家 | SILICON |
批號(hào) | 1804+ | 封裝 | SOP16 |
DIP-IPM(智能功率模塊)是變頻器的核心器件。智能功率模塊一般由IGBT芯片、FWD(續(xù)流二極管)和控制(HVIC)電路組成。
由于開(kāi)關(guān)頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的現(xiàn)象愈加嚴(yán)重。對(duì)器件造成的過(guò)電壓、過(guò)電流故障影響也越大。為提高變頻系統(tǒng)的可靠性,電力電子生產(chǎn)廠家推出了DIP-IPM,是專門針對(duì)家電和伺服驅(qū)動(dòng)器對(duì)功率器件低成本、小型化、高可靠性和易使用的要求開(kāi)發(fā)而來(lái)。

圖1:DIP-IPM電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用圖
圖1是DIP-IPM智能功率模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用圖。由圖中可以看到:
1)DIP-IPM內(nèi)置三相交流輸出的IGBT逆變電路;
2)只需一個(gè)+15V的驅(qū)動(dòng)電源;
3)高壓集成HVIC高壓控制電路,控制信號(hào)共地;
4)MCU輸出信號(hào)與DIP-IPM驅(qū)動(dòng)之間只需高速隔離器做隔離。
為滿足DIP-IPM應(yīng)用過(guò)程中,MCU控制信號(hào)與IPM高壓信號(hào)的隔離,需要使用到高速隔離器。傳統(tǒng)方案是使用高速隔離光耦來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離功能,但由于光耦存在光衰、壽命較短, 6路光耦占用PCB面積太大等缺點(diǎn),推薦使用Silicon Labs推出的高速隔離器Si8660BD,作為MCU控制信號(hào)與IPM高壓信號(hào)的隔離。圖2是Si8660原理框圖:


圖2:Si8660原理框圖
Si8660原邊A1~A6分別連接到MCU輸出端(PWM控制信號(hào)),通過(guò)容耦隔離的方式將信號(hào)傳遞到副邊B1~B6,輸出的PWM控制信號(hào)連接到DIP-IPM的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)Up、Vp、Wp以及低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)Un、Vn、Wn,實(shí)現(xiàn)MCU對(duì)DIP-IPM的運(yùn)行控制。
Si8660的主要特點(diǎn):
? 高傳輸速率:150Mbps
? 運(yùn)行電壓范圍很寬:2.5V~5.5V
? 高達(dá)5000Vrms的隔離電壓
? 額定工作電壓下壽命可達(dá)60年
? 瞬態(tài)抑制能力50Kv/us
? 通過(guò)AEC-Q100汽車級(jí)認(rèn)證
? 工作溫度范圍:-40~125℃
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