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存儲(chǔ)器MT40A1G8WE-083E:B DRAM
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,存儲(chǔ)器MT40A1G8WE-083E:B DRAM

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  • 發(fā) 貨 期: 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地: 廣東 深圳市 南山區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年04月24日
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類型集成電路(IC)  
MT40A1G8WE-083E:B介紹:
類別 集成電路(IC)
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR4
存儲(chǔ)容量 8Gb (1G x 8)
時(shí)鐘頻率 1.2GHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁 -
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.14 V ~ 1.26 V
工作溫度 0°C ~ 95°C(TC)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 78-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 78-FBGA(8x12)


以存儲(chǔ)體(大量存儲(chǔ)單元組成的陣列)為核心,加上必要的地址譯碼、讀寫控制電路,即為存儲(chǔ)集成電路;再加上必要的I/O接口和一些額外的電路如存取策略管理,則形成存儲(chǔ)芯片,比如手機(jī)中常用的存儲(chǔ)芯片。
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