SI1026X-T1-GE3介紹：
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 305mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.4 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V 功率 - 最大值 250mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝 SC-89-6
基本零件編號 SI1026
晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。
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