SIR494DP-T1-GE3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
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零件狀態(tài) 最後搶購(gòu)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 60A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 150nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 6900pF @ 6V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.2 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出級(jí)都采用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書(shū)刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路，它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。
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