SI1403BDL-T1-E3介紹：
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 1.4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 568mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 150 毫歐 @ 1.5A，4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SC-70-6（SOT-363）
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
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