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晶體管 FDN5630 FET
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，晶體管 FDN5630 FET

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年05月11日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
FDN5630介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.7A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 400pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 1.7A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

由于其響應(yīng)速度快，準(zhǔn)確性高，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能，包括放大，開關(guān)，穩(wěn)壓，信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨(dú)立包裝或在一個(gè)非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
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