以下是,Infineon系列 IPD65R250E6 65E6250 MOS管 N溝道 650V TO-252 ,品牌:Infineon 型號(hào):IPD65R250E6 封裝:TO-252 溝道類型:N溝道 ,請(qǐng)點(diǎn)擊“詢價(jià)”
-Infineon系列 IPD65R250E6 65E6250 MOS管 N溝道 650V TO-252  品牌:Infineon 型號(hào):IPD65R250E6 封裝:TO-252 溝道類型:N溝道-買賣IC網(wǎng)
Infineon系列 IPD65R250E6 65E6250 MOS管 N溝道 650V TO-252
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年05月15日
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品牌Infineon型號(hào)IPD65R250E6
封裝TO-252溝道類型N溝道

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產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

制造商

Infineon Technologies

制造商零件編號(hào)

IPD65R250E6

描述

表面貼裝 N 溝道 pval(2068) 16.1A(Tc) 208W(Tc) PG-TO252-3

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
?濕氣敏感性等級(jí) (MSL)1(無(wú)限)
 
一般信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝  2,500
包裝  標(biāo)準(zhǔn)卷帶 
零件狀態(tài)在售
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列CoolMOS? E6

規(guī)格
FET 類型N 溝道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))16.1A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 400μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值)45nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)950pF @ 1000V
FET 功能-
功率耗散(最大值)208W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值)250 毫歐 @ 4.4A,10V
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝PG-TO252-3
封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

 



產(chǎn)品實(shí)拍圖:


圖文
圖文
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