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晶體管 SI1499DH-T1-GE3 FET
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，晶體管 SI1499DH-T1-GE3 FET

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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 寶安區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年05月17日
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類型分立半導(dǎo)體產(chǎn)品  
SI1499DH-T1-GE3介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 
晶體管 - FET，MOSFET - 單 
制造商 Vishay SilIConix 
系列 TrenchFET? 
包裝 ? 帶卷（TR） ? 
零件狀態(tài) 在售 
FET 類型 P 溝道 
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 
漏源電壓（Vdss） 8V 
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.6A（Tc） 
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V 
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA 
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 4.5V 
Vgs（最大值） ±5V 
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 650pF @ 4V 
FET 功能 - 
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） 
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 78 毫歐 @ 2A，4.5V 
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 
安裝類型 表面貼裝 
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-6（SOT-363） 
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363


晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
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