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IRF840PBF
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  • 所 在 地: 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期: 2018年05月19日
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型號(hào)IRF840PBF廠家VISHAY
批號(hào)18+封裝TO220
IC描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
FET類型:N溝道
技術(shù):MOSFET (金屬化氧物)
漏源電壓(Vdss):500V
電流-連續(xù)漏極(ld)(25℃時(shí)):8A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大Rds On ,最小Rds On):10V
不同Id時(shí)的Vgs On (th)最大值:4V @ 250μA
不同Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值):63nC @ 10V
Vgs (最大值):+-20
不同Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF@25V
功率耗散(最大值):125W(Tc)
不同Id Vgs時(shí)的Rds On(最大值):850毫歐@4.8A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人:林小姐
聯(lián)系方式:0755-61352251/QQ2851099673





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