FDS6930B介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SO
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 5.5A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 38 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.8nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 412pF @ 15V 功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
雖然數(shù)以百萬計的單體晶體管還在使用，絕大多數(shù)的晶體管是和二極管|-{A|zh-cn:二極管；zh-tw:二極體}-，電阻，電容一起被裝配在微芯片（芯片）上以制造完整的電路。模擬的或數(shù)字的或者這兩者被集成在同一塊芯片上。
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