IXFN72N55Q2介紹：
描述 MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 底座安裝 N 溝道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET??
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 72A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 258nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 10500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 890W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 72 毫歐 @ 500mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC
在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發(fā)射極到集電極之間，產(chǎn)生大電流；在場效應(yīng)晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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