RE1C001UNTCL介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 100mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 100μA
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 7.1pF @ 10V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.5 歐姆 @ 100mA，4.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 EMT3F（SOT-416FL）
封裝/外殼 SC-89，SOT-490
比電子管可靠100倍，耐沖擊、耐振動(dòng)，這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外，晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密，但工序簡(jiǎn)便，有利于提高元器件的安裝密度。
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