FDB7030BL介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 15 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 60A（Ta） 60W（Tc） TO-263AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 60A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1760pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 30A，10V
工作溫度 -65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-263AB
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。
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