APT64GA90B介紹：
描述 IGBT 900V 117A 500W TO-247
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 29 周
詳細描述 IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 MICrosemi Corporation
系列 POWER MOS 8??
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 117A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 193A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 3.1V @ 15V，38A
功率 - 最大值 500W
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 162nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 18ns/131ns
測試條件 600V，38A，4.7 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3 變式
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場效晶體管（PMOSFET）。
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