IPD65R190C7ATMA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 22 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS? C7
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 13A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 5.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 290μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1150pF @ 400V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 72W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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